Субстраты из карбида кремния (SiC)

Карбид кремния (SiC) стал перспективным материалом в полупроводниковой промышленности благодаря развитию производства материалов на основе SiC и снижению стоимости в последние годы.

Карбид кремния (SiC) представляет собой широкозонный материал и является типичным представителем полупроводниковых материалов третьего поколения. Благодаря широкой запрещенной зоне, высокой теплопроводности, высокой насыщенной подвижности носителей заряда, высокой напряженности электрического поля порога пробоя и высокой химической стабильности он является идеальной подложкой для изготовления силовых электронных и радиочастотных устройств, работающих в экстремальных условиях, таких как высокая температура, высокая частота, высокая мощность и сильное излучение. Поэтому SiC имеет широкое применение в белом освещении, автомобильной электронике, радарной связи, авиации и космонавтике, а также в ядерном излучении.

Мы имеем возможность осуществлять обработку, такую как резка, сверление, разделение на кристаллы, полировка и т.д. У нас есть богатый опыт микромеханической обработки твердых и хрупких материалов.